V laboratórnych postupoch je na monokryštalickom kremíku dosahovaná účinnosť až 24%. Účinnosť sériovo vyrábaných solárnych článkov je typicky do 14% a v súčasnosti i 15%. Pri intenzite žiarenia 1000 Wm-2 pre sériové vyrábané solárne články z monokryštalického kremíku s
rozmermi 102,5 × 102,5 mm uvedené tieto nasledujúce parametre:
Uoc= 610mV, Isc=3,45A, FF= 76%, EFF= 15%.


3.2.3 Polykryštalický kremík
je stále viacej využívaný ako vstupný materiál vďaka svojej nižšej výrobnej cene (odpadá proces ťaženia monokryštálu), i keď dosahovaná účinnosť je nižšia než je tomu v prípade monokryštalického kremíku. Laboratórne solárne články dosahujú účinnosť 18% a v podmienkach hromadnej výroby nepresahuje 14%. Doštičky polokryštalického kremíku sú štvorcového tvaru a sú rezané z odlievaného kremíkového ingotu. V priebehu tuhnutia taveniny dochádza k tvorbe rôzne veľkých a
orientovaných kryštálov. Polykryštalická štruktúra materiálu dodáva týmto článkom charakteristický vzhľad.

3.2.4 Hranou-definovaný film - EFG
Z taveniny ťaženej pásky – skoro monokryštalický kremíkový pásik narastajúci z roztaveného kremíku v kelímku, vyťahovaného kapilárnymi silami medzi plochami grafitovej štrbiny. Firma ASE zahájila výrobu solárnych článkov na materiály HEXAGON. Dlhá kremíková šesťhranná trubka je ťažená z taveniny. Trubka je potom delená na pásiky a ďalej na články obyčajným lomom. Týmto spôsobom sú eliminované straty materiálu rezaním.

3.2.5 Galium Arsenid (GaAs)
GaAs je zliatinový polovodičový materiál typu AIIIBV, z ktorého sú vyrábané solárne články s vysokou účinnosťou. Z pravidla sú tieto články použité pre koncentrátorové moduly a pre kozmické aplikácie. Dôvodom je mnohonásobne vyššia cena a vysoká kvalita článkov. Účinnosť článkov z výskumných laboratórií je vyššia než 25% pri intenzite 1-Slunce. V podmienkach koncentrovaného slnečného žiarenia dosahujú GaAs články účinnosť 28%. Pre zvýšenie účinnosti na 30% sú vytvárané zložité štruktúry s niekoľkými polovodičovými prechodmi založenými na GaAs a príbuzných
materiáloch typu AIIIBV.


3.3 Tenkovrstvové materiály:

3.3.1 Amorfný kremík (a-Si:H)
Nekryštalická forma kremíku, bola prvýkrát použitá vo fotovoltaike v roku 1974. V roku 1996 sa amorfný kremík podieľal 15% na celosvetovej produkcií. Najväčšie uplatnenie nachádza v aplikácií spotrebnej elektroniky a s výhodou sa používajú v systémoch zabudovaných do budov namiesto presklenných plôch.