V praxi sa zväčša využíva nelineárna závislosť prúdu od napätia v obvode s polovodičovou diódou.
Graf závislosti elektrického prúdu prechádzajúceho polovodičovou diódou od napätia na dióde sa nazýva voltampérová charakteristika polovodičovej diódy. Zvyšovaním napätia na dióde zapojenej v priepustnom smere sa prúd veľmi rýchlo zväčšuje. Dióda sa však môže veľkým prúdom prehriať a poškodiť. Preto sa na diódach označuje maximálna prípustná hodnota priepustného prúdu.

Tranzistorový jav
Pre prax má veľký význam - tranzistor. Je to prvok, ktorý obsahuje dva prechody PN. V súčasnosti sa používajú plošné tranzistory. Na protiľahlých stranách základnej polovodičovej platničky, napr. z kremíka s vodivosťou typu N sa utvoria dve oblasti s vodivosťou typu P.
Z fyzikálneho hľadiska je teda tranzistor tvorený kryštálom polovodiča s troma oblasťami s vodivosťou typu P,N a P, príp. N,P a N. Podľa toho hovoríme o tranzistore PNP alebo NPN. Základná platnička a teda aj stredná oblasť polovodiča medzi dvoma prechodmi PN a nazýva báza B, ďalšie dve oblasti kolektor C a emitor E.
Jedno z možných zapojení tranzistora, nazvané zapojenie so spoločnou bázou. Má emitorový a kolektorový obvod.
Zdroje napätia sú zapojené do obvodu tak, že prechod PN medzi emitorom E a bázou B je zapojený v priepustnom smere, kým prechod medzi bázou B a kolektorom C v záveternom smere. Pri tomto zapojení prechádza emitorom veľký prúd, kým kolektorom by mal prechádzať iba nepatrný záverný prúd. V skutočnosti je však kolektorový prúd takmer rovnako veľký ako emitorový prúd. Je to preto, že oba prechody PN sú veľmi blízko pri sebe, takže väčšina dier vstupujúcich z emitora do bázy (v nej sa stávajú menšinovými časticami) difunduje až do blízkosti prechodu PN báza-kolektor, kde sú priťahované kolektorom. Takmer všetok emitorový prúd sa tak dostane tenkou bázou do kolektora. Zmena emitorového prúdu vyvolá podobnú zmenu kolektorového prúdu. Kolektorový prúd je teda ovládaný emitorovým prúdom.
Kolektorový prúd býva o niečo menší ako emitorový, lebo niektoré diery, ktoré prechádzajú z emitora do bázy, sa do kolektora nedostanú. V báze rekombinujú, čím prispievajú k prúdu prechádzajúceho prívodom bázy. Prúd bázy je pritom oveľa menší ako kolektorový a emitorový prúd.
Opísané vlastnosti tranzistora, ktoré sú postatou tranzistorového javu, využívajú sa v elektronike na zosilňovanie.
Keď do kolektorového obvodu zaradíme vhodný zaťažovací rezistor s odporom R (t.j. s odporom porovnateľným s odporom prechodu PN), vznikajú na ňom pri zmenách kolektorového prúdu oveľa väčšie zmeny napätia, ako sú zmeny napätia zosilňovaného signálu.