Úloha analýzy obvodu, kt. štruktúru a parametre prvkov poznáme, je určenie základ. vlastností, jedná sa o stanovenie obv. veličín (uzl. napätia, prúdy vetiev) alebo o určenie obv. funkcií (prenosových a imitanč) alebo obv. charakteristík, čo sú závislosti obv. veličín na niekt. parametry, zákl. obv. funkcie – prenos napät. – KU=U2/U1, prenos prúdu – IU=I2/I1, vst. impedancia Zvst=U1/I1, výst. imp. Zvýst=U2/-I2, MUN – pre sústavu s 1 separát. časťou, kt. má n-uzlov môžeme napísať p=n-1 rovníc podľa 1.K. zákona, 1 uzol – ľubovoľný – volíme ako referenč. alebo vzťažný- vhodný ten, kt. je uzemnený alebo má pripojen. najviac vetiev, sústava je napájaná len zdrojmi prúdov, prúdy zostavíme do stĺpcovej matice, neznáme sú napätia medzi nezávislými uzlami a vzťaž. uzlom – uzl. napätia majú klad. smer – súhlasne orient. sústava, potom I=Y.U, kde Y – admit. matica sústavy – zostavíme z pasív. prvkov, do hl. diag. – admitancie pripojené k daným uzlom, mimo hl. diag. – admitancie medzi danými uzlami so znamienkom mínus, úpl. AMS – súhlas. orient. sútavu uzl. napätí rozšírime o 1 napätie tak, že vzťaž. uzol položíme mimo uvažovanú spstavu obvodov, počet uzlových napätí bude rovný počtu uzlov sústavy n, zákl. matic. rovnica: I=Y.U, I-stĺp. matica uzl. prúdov, U – matica uzl. napätí, Y- UAMS - má na rozdiel od AMS odlišnosti: obsahuje n riadkov a stĺpcov, t.j. toľko, koľko má sústava uzlov, je singulárna, lebo platí =0, súčet prvkov v kaž. riadku a stĺpci je rovný nule, všetky jednoduch. algeb. doplnky majú rovnakú hodnotu a predstavujú invariant sústavy, Zvst=Uab/I0 =ab,ab/C, Ku=Ucd/Uad =ab,cd/=ab,ab, tranzistory – aktív. prvky, najrozšíren. súčiastky zosilňovačov, oscilátorov, zmiešavačov a i. obvodov, najstaršie – bipolárne – so špec. T je možné realizovať napr. zosilňovače prahových signálov s extr. malých šum. číslom, ale aj výkon. T na výstupe so stovkami wattov, mladšie – T riadené el. poľom – zákl. druhy: T s prechod. hradom JFET, T s izol. hradlom MISFET – majú iné imped. vlastnosti, menšie nelin. skreslenie a priazniv. šumov. parametre, T FET s Schottkyho hradlom MESFET – najnovšie varianty HEMT – do frekvencií až 100 GHz, T sa nahrádza modelmi, zložitosť modelov je ovplyvnená požiadavkami na vlastnosti obvodu, výp. metódou ap.