Veľkú hodnotu koeficientu priehybu energetickej medzery medzi binármi skupín III-As a III-N zapríčiňuje rozdielna veľkosť atómov a elektronegativít arzénu a dusíka [2]. Toto má za následok zúženie energetickej medzery kvaternáru GaInNAs v porovnaní s GaAs a tým možnosť emisie na vyšších vlnových dĺžkach. Zmenou obsahu dusíka sme schopný pokryť pomerne veľkú oblasť vlnových dĺžok a do tejto oblasti spadajú aj vlnové dĺžky používané v optických komunikáciách – 1,3 a 1,55 mm. Ďalej je dôležité, že pre hodnotu x priližne rovnú 2,8y môžme Ga1-xInxNyAs1-y považovať za mriežkovo prispôsobený ku GaAs. Konštrukcia a usporiadanie meraných vzoriek

Naše vzorky s označením DHS 12 obsahovali aktívnu oblasť so zložením Ga0,65In0,35N0,01As0,99. Boli pripravené AIX–200 nízko-tlakovou depozíciou z orgáno-kovových pár (MOCVD) na n-dopovanom GaAs substráte na Univerzite v Lipsku. Aparatúra bola vybavená rotujúcim držiakom vzoriek. Aktívna oblasť (core) je tvorená GaInNAs kvantovou jamou hrúbky 12 nm a bariéry GaAs sú hrúbky 90 nm – ide teda o štruktúru s jednoduchou kvantovou jamou (SQW). Potenciálové optické ohraničenie aktívnej oblasti tvoria vrstvy
Al0,35Ga0,65As (tzv. cladding) hrúbky 550 a 1300 nm. Na spodnej aj hornej časti sú vytvorené kovové ohmické kontakty – horný je tvorený naparenou vrstvou AuBe, spodný zliatinou AuGeNi. Samotné vzorky boli štiepané z narastených platničiek pozdĺž prirodzených štiepnych hrán materiálov, čím sa realizuje u polovodičových laserov Fabry-Perotov rezonátor. Ohmický kontakt s GaAs bol vytvorený žíhaním naparenej kovovej vrstvy pri teplote 420 °C počas dvoch minút. Rôzne šírky pásika (w) vrchného kontaktu boli realizované v rozsahu 5 – 50 μm.


2. PRACOVISKO

Na meranie spektrálnych charakteristík sme využívali automatizované pracovisko, na KME FEI STU. Meraná vzorka bola umiestnená v držiaku a napájaná z impulzného zdroja. Stredná hodnota prúdu vzorkou bola meraná digitálnym multimetrom. Elekroluminiscenčné žiarenie sa privádzalo priamo do vstupnej štrbiny monochromátora a z výstupnej štrbiny sa snímalo fotodetektorom. Signál z fotodetektora bol privedený do selektívneho nanovoltmetra a odtiaľ sa privádzal do A/Č prevodníka. Merané údaje boli uchovávané v počítači, ktorý riadil cez rozhranie servopohon natáčajúci mriežku monochromátora. Na meranie externej kvantovej účinnosti bola použitá Ulbrichtova integrálna guľa spolu s impulzným zdrojom a LOCK-IN zosilňovačom. 3. NAMERANÉ VÝSLEDKY

V prvom kroku charakterizácie daných vzoriek sme sa zamerali na základné elektrické parametre a zmerali sme I-V charakteristiky.