Prúd sa vynáša v logaritmickej mierke, aby bolo dobre rozoznať jednotlivé zložky prúdu. Ďalej bola zmeraná externá kvantová účinnosť pri izbovej teplote pomocou Ulbrichtovej integrálnej gule v závislosti od napácieho prúdu a bol vypočítaný optický výkon daných vzoriek v závislosti od prúdu (L-I harakteristiky). Napájací prúd sa menil v rozsahu 20 až 180 mA v pulze so striedou 1:20. Charakterizácia pokračovala meraním spektrálnych odoziev jednotlivých vzoriek pri izbovej teplote a pri zmene napájacieho prúdu v rozsahu 15 až 50 mA v pulze. Na spektrálnych charakteristikách je dolezitym parametrom pološírka píku emisie, ktorá sa so šírkou pásika menila len minimálne. 4. DISKUSIA

Priebeh nameranej I-V charakteristiky môžno rozdeliť na dve časti, kde v každej z nich sa prejavuje iný mechanizmus vzniku prúdu. V prvej časti pri malom priepustnom napätí prúd stúpa pomaly a prevláda tu zvodový prúd daný defektami v štruktúre. Defekty môžu byť mechanického pôvodu (štiepanie) alebo technologického (nehomogenity v štruktúre). Tento mechanizmus bude ešte treba preveriť a podľa možnosti odstrániť ho. Druhá časť charakteristiky má už typický priebeh pre prúd vznikajúci injekciou nosičov cez priechod P-N.
Namerané hodnoty externej kvantovej účinnosti sa pohybovali v rozsahu stotín percenta a následne vypočítaný optický výkon bol maximálne 100 mW pre vzorky s pásikom 5 mm. Z toho vyplýva, že tieto diódy pracujú v režime spontánnej emisie a pri izbovej teplote ich nie je možné vybudiť do režimu stimulovanej emisie. Preto ďalší postup bude meranie pri nízkych teplotách v kryostate. Z nameraných spektrálnych charakteristík možné približne určiť vlnovú dĺžku maxima emisie v okolí 1 mm. Z dostupných informácií o vzorkách sme nezistili presný obsah dusíka v aktívnej oblasti, ale z hodnoty maxima emisie je ju možné odhadnúť pomocou absorpčných spektier vrstiev GaInNAs s rôznym zložením uverejnených v referencii [3]. Vychádza to približne 1 %, čo zodpovedá predpokladom z technologických podmienok rastu štruktúr. V charakteristikách si je možné všimnúť rozdielnu strmosť hrán píkov, keď pravá hrana je menej strmá ako ľavá. V tomto mieste usudzujeme ďalšiu nežiadúcu emisiu pravdepodobne spôsobenú nehomogenitou materiálu aktívnej oblasti a jej identifikáciu bude možné vykonať meraním pri nízkych teplotách. Podstatné zlepšenie kvality nitridového materiálu aktívnej oblasti sa očakáva aj po procese žíhania, o ktorom sa v odborných kruhoch veľa diskutuje [4, 5] a je preukázaný jeho pozitívny prínos.