Cecília
Piatok, 22. novembra 2024
Zaujímavosti o referátoch
Ďaľšie referáty z kategórie
Charakterizácia laserových štruktúr (ŠVOČ práca)
| Dátum pridania: | 15.11.2002 | Oznámkuj: | 12345 |
| Autor referátu: | mgaspar | ||
| Jazyk: |  |
Počet slov: | 1 120 |
| Referát vhodný pre: | Stredná odborná škola | Počet A4: | 4.6 |
| Priemerná známka: | 2.98 | Rýchle čítanie: | 7m 40s |
| Pomalé čítanie: | 11m 30s | ||
Realizuje sa to pri teplotách v okolí 600 – 650
°C a predpokladá sa zlepšené usporiadanie dusíkových atómov v materiáli aktívnej oblasti. 5. ZÁVERY
Problematikou nitridových materiálov a ich využitím pri konštrukcii laserových diód pre oblasť optických komunikácií sa dnes zaoberá mnoho špičkových výskumných pracovísk. Naším cieľom bolo preskúmať základné charakteristiky prvých štruktúr založených na báze nitridových vrstiev pre ich ďalší výskum a optimizáciu technológie prípravy. Úspešne sme overili možnosť vybudiť emisiu v týchto štruktúrach v oblasti vlnových dĺžok 1000 nm a boli zmerané prvé elektrické a emisné vlastnosti. V nasledujúcom období bude na základe získaných výsledkov urobená dôkladnejšia analýza pri nízkych teplotách a po tepelnom žíhaní vzoriek.
Zdroje: [1] Riechert, H., Egorov, A. Yu., Borchert, B., Illek, S.: InGaAsN: Extending GaAs-
based lasers to fiber optic wavelengths (Compound semiconductor 6(5) July 2000), [2] Telford, Mark: Low-cost 1.3 – 1.55 mm lasers (III-Vs Review Vol. 13 No. 6 2000), [3] Uesugi, K., Suemune, I.: Bandgap energy of GaNAs alloys grown on (001) GaAs by metalorganic molecular beam epitaxy ( Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 36 (1997) pp. L 1572 – L 1575 Part 2. No. 12A, December 1997, [4] Kitatani, T., Nakahara, K., Kondow, M., Uomi, K., Tanaka, T.: Mechanism analysis of improved GaInNAs optical properties through thermal annealing (Journal of Crystal Growth 209 (2000) 345-349), [5] Li, L. H., Pan, Z., Zhang, W., Lin, Y. W., Zhou, Z. Q., Wu, R. H.: Effects of rapid thermal annealing on the optical properties of GaNxAs1-x/GaAs single quantum well structure grown by molecular beam epitaxy (Journal of applied physics, Vol. 87, No. 1, 1 january 2000)
