Teleso kryštálu je tvorené stenami R1 a R2, ktoré majú funkciu zrkadiel, reflektorov. Aby mohlo svetlo vychádzať do priestoru, musí byť aspoň jedna z obrazných stien polopriepustná. To znamená, že 30% až 60% svetla opúšťa rezonátor. Pri konštrukčnom riešení je dôležité dbať na rovinnosť, planparalénnosť, odrazivosť reflektorov a ich kolmosť na rovinu priechodu. Základne hranola sú pokovené a slúžia na kontaktovanie prívodov elektrického prúdu. jednou z nich sa odvádza vznikajúce teplo z Joulových strát. Teplo sa odvádza pomocou medených, alebo diamantových blokov. Pri výbere materiálu pre výrobu priechodových polovodičových laserov zohľadňujeme tri aspekty:
1. Vybrané polovodiče musia byť schopné vysokej dotovateľnosti donórmi aj akceptormi
2. Medzi vodivostnými oblasťami sa vyžaduje vznik priechodu.
Týmto požiadavkám vyhovuje GaAs. Tieto lasery emitujú v infračervenej oblasti spektra. Neviditeľné spektrum má prednosti v dorozumievacej technike, telemetrii a iných aplikáciách.

Vplyv fyzikálnych veličín na činnosť polovodičového lasera
Zistilo sa že pri zvyšovaní teploty polovodičových laserov sa prudko zvyšuje prúd, čo je spôsobené nárastom voľných nosičov náboja. Prahová hodnota prúdu (ith) je funkciou teploty. Všeobecne je závislá aj od aj od koncentrácie voľných nosičov náboja, prípadne iných faktorov.
Závislosť ith od Q a ND pre GaAs je znázornená na obrázku. V intervale Q < 20K ith takmer konštantné. K znateľnému nárastu prichádza v intervale <70 – 100K> Nad 100K platí ith~Q3.
Pri nízkych teplotách je prúdová hustota a tím aj celkový prúd malý. Nadmernému zohriatiu predchá- dzame skrátením nábehového času a zostupného času pulzu, ako aj jeho trvania. Dlhšie časy nábehu vyvolajú zvýšenie teploty čipu až k bodu, v ktorom vstrekovaný prúd nestačí vynútiť laserovania príp. vyniknutú emisiu zastaví. Hovoríme o teplotnom zhášaní lasera. Čas trvania budiaceho impulzu je rádovo 20 až 50 ns.

Vlastnosti lasera sa menia mechanickým pnutím vyvolaným tlakom, ťahom, ohybom, a krutom. Napríklad jednoosové pnutie v GaAs v laserovej dióde znižuje ith a posúva emisný vrchol ku kratším vlnovým dĺžkam. Pri deformáciách sa naruší pôvodné usporiadanie atómov sa naruší pôvodné usporiadanie atómov príp. molekúl v kryštálových mriežkach. Vzdialenosti atómov v osovom smere zmenšia, pôsobením tlaku sa zväčšia.